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参数资料
| 型号： | FQB33N10TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQB33N10TMDKR |
Typical Characteristics
10
10
10
10
2
1
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
2
1
175
10
0
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T C = 25
25
-55
Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
8
10
10
0.20
0.15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.10
0.05
V GS = 20V
1
Note : T J = 25
175
25
Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 s Pulse Test
10
0.00
0
2 0
40 60 80
I D , Drain Current [A]
100
120
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.2
1.4
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
3000
2500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 50V
V DS = 80V
2000
1500
1000
500
C iss
C oss
C rss
Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
4
2
Note : I D = 33A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15 20 25 30
Q G , Total Gate Charge [nC]
35
40
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
F QB33N10 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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