型号: | FQB34P10TM_F085 |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK |
产品目录绘图: | D2PAK, TO-263AB Pkg |
标准包装: | 1 |
系列: | QFET™ |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 33.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 60 毫欧 @ 16.75A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2910pF @ 25V |
功率 - 最大: | 3.75W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装: | D²PAK |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | FQB34P10TM_F085DKR |