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参数资料
| 型号： | FQB8P10TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 530 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
Top :
V GS
-15.0 V
10
10
10
10
1
0
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-5.5 V
-5.0 V
Bottom : -4.5 V
1
0
175 ℃
25 ℃
10
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
1.5
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.2
V GS = - 10V
1
10
0.9
0.6
V GS = - 20V
0
0.3
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
25
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
900
800
700
600
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
12
10
8
V DS = -20V
V DS = -50V
V DS = -80V
500
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
400
300
C rss
4
200
2
100
※ Note : I D = -8.0 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB8P10 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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