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参数资料
| 型号： | FQD12P10TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 290 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
+
V DS
DUT
_
I SD
L
Driver
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
FQD12P10TM_F085 Rev. A
V GS
R G
Compliment of DUT
(N-Channel)
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
Body Diode Reverse Current
I RM
di/dt
I FM , Body Diode Forward Current
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
6
V DD
10V
V DD
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD13N06TM | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
| FQD16N25CTM_F080 | MOSFET N-CH 250V 16A DPAK |
| FQD17P06TF | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| FQD18N20V2TF | MOSFET N-CH 200V 15A DPAK |
| FQD19N10LTF | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FQD13N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQD13N06LTF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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