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参数资料
| 型号： | FQD13N06LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD13N06LTM
FQU13N06LTU
FQU13N06LTU_WS
Top Mark
FQD13N06L
FQU13N06L
FQU13N06LS
Package
D-PAK
I-PAK
I-PAK
Packing Method
Tape and Reel
Tube
Tube
Reel Size
330 mm
N/A
N/A
Tape Width
16 mm
N/A
N/A
Quantity
2500 units
7 0 units
75 units
= 25 C unless otherwise noted.
Electrical Characteristics T
C
o
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 60 V, V GS = 0 V
V DS = 48 V, T C = 150°C
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.05
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
1.0
--
2.5
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 5.5 A
V GS = 5 V, I D = 5.5 A
V DS = 25 V, I D = 5.5 A
--
--
--
0.092
0.115
6
0.115
0.145
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DD = 30 V, I D = 6.8 A,
R G = 25 ?
--
--
--
--
--
--
270
95
17
8
90
20
350
125
23
25
190
50
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
Turn-Off Fall Time
(N ote 4)
--
40
90
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 48 V, I D = 13.6 A,
V GS = 5 V
(Note 4)
--
--
--
4.8
1.6
2.7
6.4
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
11
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
44
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 11 A
V GS = 0 V, I S = 13.6 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
45
45
1.5
--
--
V
ns
nC
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 870 μH , I AS = 11 A, V DD = 25 V, R G = 25 ? , s tarting T J = 25 o C .
3. I SD ≤ 13.6 A, di/dt ≤ 3 00 A/μs, V DD ≤ BV DSS , s tarting T J = 25 o C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD13N06L / FQU13N06L Rev. C3
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABLS3-30.000MHZ-D4YF-T | CRYSTAL 30.000 MHZ 18PF SMD |
| DME4S1K-F | CAP FILM 10000PF 400VDC RADIAL |
| ATS270BSM-1E | CRYSTAL 27.0 MHZ 18PF SMD |
| QYX2A154JTP | CAP FILM 0.15UF 100VDC RADIAL |
| DME6S1K-F | CAP FILM 10000PF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD13N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQD13N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQD13N10_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
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