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参数资料
| 型号： | FQD13N06LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
!
10
10
10
1
V GS
Top : 10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
1
0
150 ℃
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
0
2
4
6
8
10
10
300
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
200
100
V GS = 5V
V GS = 10V
0
10
0
0
1 0
20
I D , Drain Current [A]
※ Note : T J = 25 ℃
30
40
-1
0.2
150 ℃
0.4
※ Notes :
25 ℃ 1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
800
600
400
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
12
10
8
6
V DS = 30V
V DS = 48V
4
200
C rss
2
※ Note : I D = 13.6A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
2
4 6
Q G , Total Gate Charge [nC]
8
10
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD13N06L / FQU13N06L Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABLS3-30.000MHZ-D4YF-T | CRYSTAL 30.000 MHZ 18PF SMD |
| DME4S1K-F | CAP FILM 10000PF 400VDC RADIAL |
| ATS270BSM-1E | CRYSTAL 27.0 MHZ 18PF SMD |
| QYX2A154JTP | CAP FILM 0.15UF 100VDC RADIAL |
| DME6S1K-F | CAP FILM 10000PF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD13N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N06TM | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQD13N10_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
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