- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18602 > FQD13N06LTF (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 11A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FQD13N06LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V DD
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD13N06L / FQU13N06L Rev. C3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ABLS3-30.000MHZ-D4YF-T | CRYSTAL 30.000 MHZ 18PF SMD |
| DME4S1K-F | CAP FILM 10000PF 400VDC RADIAL |
| ATS270BSM-1E | CRYSTAL 27.0 MHZ 18PF SMD |
| QYX2A154JTP | CAP FILM 0.15UF 100VDC RADIAL |
| DME6S1K-F | CAP FILM 10000PF 630VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD13N06LTM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N06TF | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N06TM | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD13N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQD13N10_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。