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参数资料
| 型号： | FQD13N06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD13N06 TM
Top Mark
FQD13N06
Package
DPAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ .
Max .
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to
25°C
V DS = 60 V, V GS = 0 V
V DS = 48 V, T C = 125°C
V GS = 25 V, V DS = 0 V
V GS = -25 V, V DS = 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.06
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
--
4.0
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 5.0 A
V DS = 25 V, I D = 5.0 A
--
--
0.11
4.9
0.14
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DD = 30 V, I D = 6.5 A,
R G = 25 ?
--
--
--
--
--
--
240
90
15
5
25
8
310
120
20
20
60
25
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
Turn-Off Fall Time
(N ote 4)
--
15
40
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 48 V, I D = 13 A,
V GS = 10 V
(N ote 4)
--
--
--
5.8
2.0
2.5
7.5
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
10
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
40
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 10 A
V GS = 0 V, I S = 13 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
39
40
1.5
--
--
V
ns
nC
2. L = 990 μ H, I AS = 10 A, V DD = 25 V, R G = 25 ?, starting T J = 25°C.
Notes:
1. Repetitive rating : pulse-width limited by maximum junction temperature.
3. I SD ≤ 13 A, di/dt ≤ 300 A/us, V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD13N06 Rev. C 1
2
www.fairchildsemi.com
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