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参数资料
| 型号： | FQD13N06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD13N06 Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD16N25CTM_F080 | MOSFET N-CH 250V 16A DPAK |
| FQD17P06TF | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| FQD18N20V2TF | MOSFET N-CH 200V 15A DPAK |
| FQD19N10LTF | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| FQD19N10TM | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD13N10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQD13N10_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V N-Channel MOSFET |
| FQD13N10_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel QFET MOSFET |
| FQD13N10L | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| FQD13N10LTF | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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