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参数资料
型号： FQD16N25CTM_F080
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
产品变化通告： Product Discontinuation 14/Mar/2011
标准包装： 2,500
系列： QFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 270 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 53.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1080pF @ 25V
功率 - 最大： 160W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： D-Pak
包装： 带卷 (TR)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FQD16N25C
Device
FQD16N25CTM
Package
D-PAK
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 250 V, V GS = 0 V
V DS = 200 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
250
--
--
--
--
--
--
0.31
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 8A
V DS = 40 V, I D =8 A
2.0
--
--
--
0.22
10.5
4.0
0.27
--
V
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
830
170
68
1080
220
89
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
V DD = 125 V, I D = 16A,
R G = 25 Ω
(Note 4)
--
--
--
--
15
130
135
105
40
270
280
220
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 200 V, I D = 16 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
--
--
--
41
5.6
22.7
53.5
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
16
64
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 16 A
V GS = 0 V, I S = 16 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
260
2.47
1.5
--
--
V
ns
μ C
NOTES:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. L = 2.7 mH, I AS = 16 A, V DD = 50 V, R G = 25 Ω, starting T J = 25°C.
3. I SD ≤ 16 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD16N25C Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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