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参数资料
| 型号： | FQD19N10LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 7.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
!
Top :
V GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
10
4.5 V
4.0 V
1
10
1
3.5 V
Bottom : 3.0 V
150 ℃
10
0
25 ℃
-55 ℃
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
0
2
4
6
8
10
10
10
0.30
0.24
0.18
0.12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 5V
V GS = 10V
1
0
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
0.06
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
1 5
30
45
6 0
7 5
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1800
1500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 50V
1200
900
600
C iss
C oss
※ Notes :
8
6
4
V DS = 80V
300
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 19A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD19N10L Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD19N10TM | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| FQD1N60CTF | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| FQD20N06LTF | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK |
| FQD20N06TF | MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK |
| FQD2N80TM_WS | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD19N10LTM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD19N10TF | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD19N10TM | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD19N10TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 100V 15.6A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD-1F | 制造商:SR COMPONENTS 功能描述: 制造商:SR Components Inc 功能描述: |
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