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参数资料
| 型号： | FQD5P20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQD5P20TMDKR |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FQD5P20
FQU5P20
Device
FQD5P20TM
FQU5P20TU
Package
DPAK
I PAK
Reel Size
330 mm
-
Tape Width
16 mm
-
Quantity
2500
70
Elerical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
I D = -250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = -200 V, V GS = 0 V
V DS = -160 V, T C = 125°C
V GS = -30 V, V DS = 0 V
V GS = 30 V, V DS = 0 V
-200
--
--
--
--
--
--
-0.17
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10 ? V , I D = -1.85 A
V DS = -40 V, I D = -1.85 A
-3.0
--
--
--
1.1
2.2
-5.0
1.4
--
V
?
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
330
75
12
430
98
15
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -100 V, I D = -4.8 A,
R G = 25 ?
V DS = -160 V, I D = -4.8 A,
V GS = -10 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
9
70
12
25
10
2.8
5.2
28
150
35
60
13
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
-3.7
-14.8
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = -3.7 A
V GS = 0 V, I S = -4.8 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
175
1.07
-5.0
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 36.2mH, I AS = -3.7A, V DD = -50V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ -4.8A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Essentially independent of operating temperature
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5P20 / FQU5P20 Rev. C0
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
| 483P3S36 | CABLE STR MALE-R/A FMAL 3POS 3' |
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| XRCWHT-L1-0000-00507 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5P20TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 200V 3.7A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD60N03L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm |
| FQD60N03LTF | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD60N03LTM | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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