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参数资料
| 型号： | FQD5P20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQD5P20TMDKR |
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
+
V DS
DUT
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
R G
V GS
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5P20 / FQU5P20 Rev. C0
Compliment of DUT
(N-Channel)
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
Body Diode Reverse Current
I RM
di/dt
I FM , Body Diode Forward Current
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
6
V DD
10V
V DD
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 483P3S36 | CABLE STR MALE-R/A FMAL 3POS 3' |
| OPB473L11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| XRCWHT-L1-0000-00507 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-005B3 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| OPB472T11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5P20TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 200V 3.7A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD60N03L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm |
| FQD60N03LTF | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD60N03LTM | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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