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参数资料
| 型号： | FQD5P20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 1.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQD5P20TMDKR |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
0.8
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 μ A
0.5
0.0
※ Notes :
1. V GS = -10 V
2. I D = -2.4 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
4
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
10
1. T C = 25 C
10
2. T J = 150 C
1
0
-1
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
DC
10 ms
1 ms
100 μ s
3
2
1
0
10
10
10
0
1
2
25
50
75
100
125
150
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 2 . 7 8 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c t o r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
10
-1
0 .0 2
P DM
0 .0 1
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD5P20 / FQU5P20 Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 483P3S36 | CABLE STR MALE-R/A FMAL 3POS 3' |
| OPB473L11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
| XRCWHT-L1-0000-00507 | LED COOL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-005B3 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| OPB472T11 | SWITCH PHOTOLOGIC SLOTTD OPTICAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD5P20TM_F080 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 200V 3.7A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD60N03L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level MOSFETs 30V, 30A, 0.023ohm |
| FQD60N03LTF | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD60N03LTM | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
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