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参数资料
| 型号： | FQI3N60 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 3 A, 600 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262 |
| 封装： | I2PAK-3 |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 581K |
| 代理商： | FQI3N60 |
2000 Fairchild Semiconductor International
F
Rev. A, April 2000
Package Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
0.50
+0.10
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
–0.05
D
2
PAK
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB3N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQI3N80 | 800V N-Channel MOSFET |
| FQB3N90 | 900V N-Channel MOSFET(漏源电压为900V的N沟道增强型MOSFET) |
| FQI3N90 | 900V N-Channel MOSFET(漏源电压为900V的N沟道增强型MOSFET) |
| FQB3P20 | 200V P-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI3N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQI3N80TU | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI3N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQI3N90TU | 功能描述:MOSFET 900V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI3P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
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