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参数资料
| 型号： | FQI47P06TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 23.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
10
10
175 C
10
25 C
-55 C
2
1
V GS
Top : - 15.0 V
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
2
1
0
o
o
o
10
10
10
2. T C = 25 C
10
10
0
-1
0
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
-1
2
4
6
* Notes :
1. V DS = -30V
2. 250 μ s Pulse Test
8
10
10
0.10
0.08
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
0.06
0.04
V GS = - 10V
V GS = - 20V
1
0
* Note : T J = 25 C
175 C
25 C
0.02
o
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
100
200
300
400
-1
0 . 0
0 . 2
0.4
0 . 6
0.8
1.0
1 . 2
1.4
1 . 6
1.8
2 . 0
2.2
2 . 4
2.6
2.8
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
8000
7000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
6000
5000
4000
3000
2000
1000
C oss
C iss
C rss
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
4
2
V DS = -30V
V DS = -48V
* Note : I D = -47 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1 0
20
30
40
5 0
60
70
80
90
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB47P06 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI50N06LTU | MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK |
| FQI5N50CTU | MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK |
| FQI5N60CTU | MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQI4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQI4N20LTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI4N20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI4N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
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