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参数资料
| 型号： | FQI47P06TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 23.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
12V
200nF
50K Ω
300nF
Samee Ty ype
as DUT
V GS
Q g
I G = const.
V GS
DUT
V DS
Q gs
Q gd
argee
Charg
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
V DS
R L
t on
t ofofff
R G
V GS
V DD
V GS
10%
on)
t d(on )
t r
t d(ofofff)
t f
V GS
DUT
V DS
90%
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DS S
1
E AS = - --- L I AS 2 --- -------- ---------
------- -------- -----
2 BV DS S - V DD
V DS
L
DSS
DSS
I D
t p
me
Tim
V GS
t p
R G
DUT
V DD
V DD
I AS
BV DSS
I D (t(t))
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB47P06 Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FQI4N20LTU | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI4N20TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI4N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
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