型号: | FQI9N50CTU |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 1/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
产品变化通告: | Passivation Material Change 14/May/2008 |
标准包装: | 1,000 |
系列: | QFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 500V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 800 毫欧 @ 4.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1030pF @ 25V |
功率 - 最大: | 135W |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装: | I2PAK |
包装: | 管件 |