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参数资料
| 型号： | FQNL2N50BBU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 欧姆 @ 175mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装： | TO-92L |
| 包装： | 散装 |
November 2013
FQNL2N50B
N-Channel QFET ? MOSFET
500 V, 0.35 A, 5.3 ?
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance
and high avalanche energy strength. These devices are
suitable for switched mode power supplies, active power
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Features
? 0.35 A, 500 V, R DS(on) = 5.3 ? (Max.) @ V GS = 10 V,
I D = 0.175 A
? Low Gate Charge (Typ. 6 nC)
? Low Crss (Typ. 4 pF)
D
G
G D S
Absolute Maximum Ratings
TO-92L
T C = 25°C unless otherwise noted .
S
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQNL2N50B TA
500
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
0.35
0.22
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
1.4
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
T L
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering,
1/8 " from case for 5 seconds.
(Note 1)
(Note 1)
(Note 2)
0.35
0.15
4.5
1.5
0.012
-55 to +150
300
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
+ θ
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FQNL2N50B TA
83
6 ?
?200 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQNL2N50B Rev. C 1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP10N20CTSTU | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| FQP12P20 | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 |
| FQP13N06L | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 |
| FQP13N10L | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
| FQP13N10 | MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQNL2N50BBU_Q | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQNL2N50BTA | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP10N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP10N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP10N20C_Q | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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