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参数资料
| 型号： | FQNL2N50BBU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 350mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.3 欧姆 @ 175mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装： | TO-92L |
| 包装： | 散装 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
0.9
※ Note :
1.5
1.0
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
※ Note :
1. V GS = 10 V
2. I D = 1.05 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
1
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
0.40
0.35
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
0
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
0.30
0.25
10
-1
10 s
DC
1s
0.20
0.15
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
-2
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
0.10
0.05
10
10
10
10
10
-3
0
1 2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
3
0.00
25
50
75 100
T C , Case Temperature [ ℃ ]
125
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
2
D = 0 .5
0 .2
10
1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 8 3 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c t o r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
0
0 .0 1
P DM
t 1
s i n g l e p u ls e
t 2
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?200 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQNL2N50B Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQNL2N50BBU_Q | 功能描述:MOSFET 500V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQNL2N50BTA | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP10N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP10N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP10N20C_Q | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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