参数资料
型号: FQI9N50CTU
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
产品变化通告: Passivation Material Change 14/May/2008
标准包装: 1,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 800 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1030pF @ 25V
功率 - 最大: 135W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: I2PAK
包装: 管件
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
DUT
5
V DD
t p
V DS (t)
Time
www.fairchildsemi.com
FQB9N50C Rev. C1
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