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参数资料
| 型号： | FQI9N50CTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
| 产品变化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1030pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB9N50C Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQL40N50F | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 |
| FQL40N50 | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 |
| FQN1N50CBU | MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 |
| FQN1N60CBU | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| FQNL2N50BBU | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI9N50TU | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI9P25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V P-Channel MOSFET |
| FQI9P25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQL01AD2K | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:LASER PROX. 10-30 VDC NPN |
| FQL01BD2K | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:LASER PROX 10-30 VDC PNP NO+NC |
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