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参数资料
| 型号： | FQP3N60C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 3A TO-220 |
| 产品变化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 565pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQP3N60C-ND FQP3N60CFS |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1
10
1
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
150 C
25 C
10
0
o
o
-55 C
※ Notes :
1. 250μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
o
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250μ s Pulse Test
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
10
12
1
10
8
10
6
4
2
V GS = 10V
V GS = 20V
※ Note : T J = 25 ℃
0
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250μ s Pulse Test
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-1
0. 2
0.4
0.6
0.8
1. 0
1.2
1. 4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
800
700
600
500
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
400
300
6
4
200
100
C rss
※ Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 10A
10
10
0
10
-1
0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1
0
0
2
4 6 8
Q G , Total Gate Charge [nC]
10
12
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP3N60C Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
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