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参数资料
| 型号： | FQP8N90C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 欧姆 @ 3.15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 171W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
!
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
6.0 V
1
150 C
Bottom : .5 V
o
10
10
25 C
-55 C
0
0
o
o
∝ Notes :
10
-1
1. 250 レ s Pulse Test
2. T C = 25 ∩
∝ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 レ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
4.0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
3.5
3.0
V GS = 10V
1
10
V GS = 20V
2.5
0
2.0
150 ∩
25 ∩
1.5
∝ Note : T J = 25 ∩
∝ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 レ s Pulse Test
10
1.0
0
5
10
15
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
3000
2500
2000
1500
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
8
6
V DS = 180V
V DS = 450V
V DS = 720V
C oss
1000
500
C rss
∝ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
∝ Note : I D = 8A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N90C / FQPF8N90C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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