参数资料
型号: FQP9N30
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 450 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 25V
功率 - 最大: 98W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
1
8.0 V
7.0 V
1
10
10
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 ℃
0
0
25 ℃
10
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
2.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2.0
V GS = 10V
1
1.5
V GS = 20V
10
1.0
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
6
12
18
24
30
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1200
1000
800
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 60V
V DS = 150V
V DS = 240V
C oss
600
6
400
200
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 9.0 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
3
6
9
12
15
18
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP9N30 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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