参数资料
型号: FQPF10N50CF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F
产品目录绘图: MOSFET TO-220F
标准包装: 50
系列: FRFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 610 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2096pF @ 25V
功率 - 最大: 48W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
产品目录页面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V DD
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF10N50CF Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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