- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录434 > FQPF13N06L (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQPF13N06L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 24W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQPF13N06L
Top Mark
FQPF13N06L
Package
TO-220F
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
50 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 60 V, V GS = 0 V
V DS = 48 V, T C = 150°C
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
60
--
--
--
--
--
--
0.05
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 5 A
V GS = 5 V, I D = 5 A
V DS = 25 V, I D = 5 A
1.0
--
--
--
--
0.088
0.110
5.5
2.5
0.11
0.14
--
V
Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
270
95
17
350
125
23
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
V DD = 30 V, I D = 6.8 A,
R G = 25 Ω
)
--
--
--
8
90
20
25
190
50
ns
ns
ns
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 48 V, I D = 13.6 A,
V GS = 5 V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
40
4.8
1.6
2.7
90
6.4
--
--
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
10
40
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 10 A
V GS = 0 V, I S = 13.6 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
45
45
1.5
--
--
V
ns
nC
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. L = 1.05 mH, I AS = 10 A, V DD = 25 V, R G = 25 Ω, starting T J = 25°C.
3. I SD ≤ 13.6 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF13N06L Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF13N50CF | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F |
| FQPF16N15 | MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F |
| FQPF17N40 | MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F |
| FQPF19N10 | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F |
| FQPF19N20C | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF13N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF13N10L | 功能描述:MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF13N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF13N50C | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF13N50C_F105 | 制造商:Fairchild 功能描述:500V/13A N-CH MOSFET C-SERIES |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。