- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录434 > FQPF22P10 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQPF22P10 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 6.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
+
V DS
DUT
_
I SD
L
Driver
V GS
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
?20 0 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP F 22P10 Rev. C0
R G
Compliment of DUT
(N-Channel)
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
Body Diode Reverse Current
I RM
di/dt
I FM , Body Diode Forward Current
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
V DD
10V
V DD
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF27N25T | MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F |
| FQPF27P06 | MOSFET P-CH 60V 17A TO-220F |
| FQPF2N70 | MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F |
| FQPF2N80 | MOSFET N-CH 800V 1.5A TO-220F |
| FQPF30N06L | MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF22P10TYDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQPF24N08 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220F |
| FQPF26N03L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF27N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF27N25T | 功能描述:MOSFET N-CH/250V /27A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。