参数资料
型号: FQPF7P20
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 50
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 690 毫欧 @ 2.6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 770pF @ 25V
功率 - 最大: 45W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
+
V DS
DUT
I SD
Driver
_
L
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
V GS
R G
pl
Comp i m ent of DUT
(N-C hannel)
? d v / dt c o ntr ro l l e d b y R G
ri
? I SD c ont tr oll led by pul ls e per od
Gate P uls e W i d t h
Gate Pul s e Per i od
Body D i ode R e v e r s e C u r r ent
I RM
di/ /dt
wa
I FM , Body D i ode F orw r d C u r r ent
V SD
Body D i o d e
tag
Forw ward V olt age Drop
V DD
10V
V DD
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF7P20 Rev. C 0
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FQPF85N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF85N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F
FQPF8N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQPF8N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF8N60CF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET