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参数资料
| 型号： | FQPF9N50CF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1030pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 44W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF9N50CF-ND FQPF9N50CFFS |
December 2013
FQPF9N50CF
N-Channel QFET ? FRFET ? MOSFET
5 00 V, 9 A, 850 m Ω
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and
DMOS technology. This advanced MOSFET technology has
been especially tailored to reduce on-state resistance, and to
provide superior switching performance and high avalanche
energy strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, active power factor correction (PFC), and
electronic lamp ballasts.
Features
? 9 A, 5 00 V, R DS(on) = 850 m ? (Max.) @ V GS = 10 V, I D = 4.5 A
? Low Gate Charge (Typ. 28 nC)
? Low Crss (Typ. 24 pF)
? 100% Avalanche Tested
? Fast Recovery Body Diode (Typ. 100 ns)
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
TO-220F
T C = 25°C unless otherwise noted .
G
S
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQPF9N50CF
500
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
9*
5.4*
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
36*
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 30
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
T J , T STG
T L
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum L ead T emperature for S oldering,
1/8 " from C ase for 5 S econds .
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
360
9
4.4
4.5
44
0.35
-55 to +150
300
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
* Drain current limited by maximum junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
FQPF9N50CF
2.86
62.5
Unit
o C/W
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF9N50CF Rev C 1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF9N90C | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F |
| FQPF9P25 | MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F |
| FQS4901TF | MOSFET N-CH DUAL 400V 0.45A 8SOP |
| FQS4903TF | MOSFET N-CH DUAL 500V 0.37A 8SOP |
| FQT13N06LTF | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF9N50CT | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N50CYDTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan Advance Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N50YDTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N90C | 功能描述:MOSFET N-CH/900V/8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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