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参数资料
| 型号： | FQPF9N50CF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1030pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 44W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF9N50CF-ND FQPF9N50CFFS |
12V
200nF
50K Ω
300nF
Samee T y pe
as DUT
V GS
10V
Q g
IG = const.
V GS
DUT
V DS
Q gs
Q gd
Char rge
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
V GS
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
on)
t d(on )
t on
t r
t d(oof f )
t ofofff
t f
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = -- -- L I AS 2 --------------------
2 BV DS S - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
I D (t)
DSS
V GS
t p
DUT
V DD
t p
me
Tim
V DS (t)
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF9N50CF Rev C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF9N90C | MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F |
| FQPF9P25 | MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F |
| FQS4901TF | MOSFET N-CH DUAL 400V 0.45A 8SOP |
| FQS4903TF | MOSFET N-CH DUAL 500V 0.37A 8SOP |
| FQT13N06LTF | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF9N50CT | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/9A/QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N50CYDTU | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan Advance Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N50T | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N50YDTU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF9N90C | 功能描述:MOSFET N-CH/900V/8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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