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参数资料
| 型号： | FQPF85N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 53A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 53A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 26.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 112nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
10
2
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
2
10
10
1
1
175 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
10
0.015
0.012
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.009
0.006
0.003
V GS = 20V
1
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.000
10
0
50
100
150 200
I D , Drain Current [A]
250
300
350
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.4
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
8000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 30V
6000
4000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
V DS = 48V
4
2000
C rss
2
※ Note : I D = 85A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
20
40 60
Q G , Total Gate Charge [nC]
80
100
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF85N06 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF8N60CFT | MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F |
| FQPF8N60CT | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F |
| FQPF9N25CYDTU | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F |
| FQPF9N50CF | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF85N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF8N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
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| FQPF8N60CF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQPF8N60CFT | 功能描述:MOSFET N-CH/600V/8A/ QFET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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