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参数资料
| 型号： | FQPF8N60CFT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 3.13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1255pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 48W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
(Continued)
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.2
3.0
1.1
2.5
2.0
1.0
1.5
0.9
* Notes :
1.0
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 ?
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 3.13 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 μ s
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
8
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0
-1
100 μ s
1ms
10ms
100ms
DC
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
6
4
2
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-SourceVoltage[V]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
o
10
0
D=0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
P DM
0.02
0.01
* Notes :
t 1
t 2
10
-2
single pulse
1. Z ? JC (t) = 2.6 ? /W Max.
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?20 0 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF8N60CF Rev C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF8N60CT | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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