参数资料
型号: FQT3P20TF_SB82100
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 670mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.7 欧姆 @ 335mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223-4
包装: 标准包装
其它名称: FQT3P20TF_SB82100DKR
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
+
V DS
DUT
I SD
Driver
_
L
D = --------------------------
R G
V GS
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT3P20 Rev. C0
Compliment of DUT
(N-Channel)
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
Body Diode Reverse Current
I RM
di/dt
I FM , Body Diode Forward Current
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Body Diode Recovery dv/dt
6
V DD
10V
V DD
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