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参数资料
| 型号： | FQT3P20TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 670mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 335mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT3P20TFDKR |
Typical Characteristics
10
0
Top :
V GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
10
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
0
150 ℃
10
-1
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = -40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
8
6
4
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = - 10V
V GS = - 20V
0
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
2
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
2
4
6
8
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = -40V
V DS = -100V
300
C iss
C oss
8
6
V DS = -160V
200
100
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = -2.8 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
6
7
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT3P20 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX6SWT-H1-0000-000CB6 | LED XLAMP MX6 WHITE PLCC |
| OPB871T55 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| OPB871P55 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| MX6SWT-H1-0000-000CB4 | LED XLAMP MX6 WHITE PLCC |
| OPB871N55 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT3P20TF_SB82100 | 功能描述:MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQT4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT4N20TF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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