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参数资料
| 型号： | FQT3P20TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 670mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 335mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT3P20TFDKR |
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
-10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
-3mA
I G = const .
Charge
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
t on
t off
R G
V GS
V DD
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
GS
-10V
DUT
V DS
90%
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
V DS
L
1
2 BV DSS - V DD
I D
t p
Time
R G
GS
-10V
t p
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT3P20 Rev. C0
DUT
V DD
5
V DD
I AS
BV DSS
I D (t)
V DS (t)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX6SWT-H1-0000-000CB6 | LED XLAMP MX6 WHITE PLCC |
| OPB871T55 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU |
| OPB871P55 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
| MX6SWT-H1-0000-000CB4 | LED XLAMP MX6 WHITE PLCC |
| OPB871N55 | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS C-MT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT3P20TF_SB82100 | 功能描述:MOSFET 250V 0.11OHM 25.5A MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT4N20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| FQT4N20L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V LOGIC N-Channel MOSFET |
| FQT4N20LTF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT4N20TF | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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