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参数资料
| 型号： | FQT4N20LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 850mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.35 欧姆 @ 425mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT4N20LTFDKR |
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? B VDSS /
? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 200 V, V GS = 0 V
V DS = 160 V, T C = 125°C
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
200
--
--
--
--
--
--
0.16
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
1.0
--
2.0
V
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 0.425 A
V GS = 5 V, I D = 0.425 A
--
1.10
1.13
1.35
1.40
?
g FS
Forward Transconductance
V DS = 30 V, I D = 0.425 A
(Note 4)
--
1.42
--
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
240
36
6
310
45
8
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
t f Turn-Off Fall Time
V DD = 100 V, I D = 3.8 A,
R G = 25 ?
(Note 4, 5)
--
--
--
--
7
70
15
40
25
150
40
90
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 160 V, I D = 3.8 A,
V GS = 5 V
(Note 4, 5)
--
--
--
4.0
1.0
1.9
5.2
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
0.85
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
3.4
A
V SD
Drain-Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V, I S = 0.85 A
--
--
1.5
V
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 3.8 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
(Note 4)
--
--
90
0.25
--
--
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 108mH, I AS = 0.85A, V DD = 50V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 3.8A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
5. Essentially independent of operating temperature
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT 4N20L Rev. C 0
www.fairchildsemi.com
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