参数资料
型号: FQT4N20LTF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 850mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.35 欧姆 @ 425mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 310pF @ 25V
功率 - 最大: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223-4
包装: 标准包装
其它名称: FQT4N20LTFDKR
Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
5V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
5V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT 4N20L Rev. C 0
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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