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参数资料
| 型号： | FQT4N25TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 830mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.75 欧姆 @ 415mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT4N25TFDKR |
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 250 V, V GS = 0 V
V DS = 200 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
250
--
--
--
--
--
--
0.22
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
--
5.0
V
R DS(on)
Static Drain-Source
On-Resistance
V GS = 10 V, I D = 0.415 A
--
1.38
1.75
?
g FS
Forward Transconductance
V DS = 50 V, I D = 0.415 A
(Note 4)
--
1.28
--
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
155
35
4.8
200
45
6.5
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 125 V, I D = 3.6 A,
R G = 25 ?
V DS = 200 V, I D = 3.6 A,
V GS = 10 V
(Note 4, 5)
(Note 4, 5)
--
--
--
--
--
--
--
6.8
45
6.4
22
4.3
1.3
2.1
25
100
25
55
5.6
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
0.83
3.3
A
A
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = 0.83 A
V GS = 0 V, I S = 3.6 A,
--
--
--
110
1.5
--
V
ns
Q rr
Reverse Recovery Charge
dI F / dt = 100 A/ μ s
(Note 4)
--
0.35
--
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 120mH, I AS = 0.83A, V DD = 50V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 3.6A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
5. Essentially independent of operating temperature
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT 4N2 5 Rev. C 0
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FQT5P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
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