参数资料
型号: FQT4N25TF
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 1
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 830mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.75 欧姆 @ 415mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装: SOT-223-4
包装: 标准包装
其它名称: FQT4N25TFDKR
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
R G
Same Type
as DUT
V DD
V GS
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
D = --------------------------
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
?20 0 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT 4N2 5 Rev. C 0
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FQT5N20LTF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT5N20TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQT5P10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET