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参数资料
| 型号： | FQU2N100TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FQD2N100
FQU2N100
Device
FQD2N100TM
FQU2N100TU
Package
DPAK
I PAK
Reel Size
330 mm
-
Tape Width
16 mm
-
Quantity
2500
70
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 1000 V, V GS = 0 V
V DS = 800 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
1000
--
--
--
--
--
--
0.976
--
--
--
--
--
--
10
100
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
--
5.0
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 0.8 A
V DS = 50 V, I D = 0.8 A
--
--
7.1
1.9
9
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DD = 500 V, I D = 2.0 A,
R G = 25 ?
--
--
--
--
--
400
40
5
13
30
520
52
6.5
35
70
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
Turn-Off Delay Time
--
25
60
ns
t f
Turn-Off Fall Time
(Note 4)
--
35
80
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 800 V, I D = 2.0 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
--
--
--
12
2.5
6.5
15.5
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
1.5
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
6.0
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 1.6 A
V GS = 0 V, I S = 2.0 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
520
2.3
1.4
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 120mH, I AS = 1.6A, V DD = 50V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 2.0A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Essentially independent of operating temperature
? 2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N100 / FQU2N100 Rev. C0
2
www.fairchildsemi.com
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参数描述 |
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| FQU2N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| FQU2N40TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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