- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录435 > FQU2N100TU (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQU2N100TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 欧姆 @ 800mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
GS GS
10V
t p
? 2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2N100 / FQU2N100 Rev. C0
DUT
5
V DD
t p
V DS (t)
Time
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU2N60CTU | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK |
| FQU2N90TU | MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK |
| FQU3N50CTU | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK |
| FQU5N40TU | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK |
| FQU5P20TU | MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU2N100TULM781 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQU2N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FQU2N30TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU2N40 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:400V N-Channel MOSFET |
| FQU2N40TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。