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参数资料
| 型号： | FQU7P20TU_AM002 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 690 毫欧 @ 2.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD 7 P20TM
Top Mark
FQD7P20
Package
D-PAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
.
.
Max.
C+
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6
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C = +
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D : +
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F
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V DS = -160 V, I D = -7.3 A,
V GS = -10 V
(Note 4)
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Notes:
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 26.3 mH, I AS = -5.7 A, V DD = -50 V, R G = 25 ?, s tarting T J = 25°C .
3. I SD ≤ - 7.3 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, s tarting T J = 25°C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD7P20 Rev. C 0
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU7P06TU_NB82048 | MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK |
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| 67061K506X | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU8N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQU8N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQU8P10TU | 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU9N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
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