- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18447 > FQU7P20TU_AM002 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FQU7P20TU_AM002 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK |
| 标准包装： | 70 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 690 毫欧 @ 2.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装： | I-Pak |
| 包装： | 管件 |
+
V DS
DUT
I SD
Driver
_
L
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
V GS
R G
pl
Comp i m ent of DUT
(N-C hannel)
? d v / dt c o ntr ro l l e d b y R G
ri
? I SD c ont tr oll led by pul ls e per od
ri
Gate P uls e W i d t h
Gate Pul s e Per od
Body D i ode R e v e r s e C u r r ent
I RM
di/ /dt
wa
I FM , Body D i ode F orw r d C u r r ent
V SD
Body D i o d e
tag
Forw ward V olt age Drop
V DD
10V
V DD
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD7P20 Rev. C 0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQU7P06TU_NB82048 | MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK |
| 67067506X | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| 67061K506X | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| ASG-C-X-A-19.200MHZ | OSC 19.20 MHZ 3.3V LVCMOS SMD |
| 3SS-WSP8-M2-GE | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQU8N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQU8N25TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU8P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQU8P10TU | 功能描述:MOSFET -100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQU9N08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。