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参数资料
| 型号： | FSBB20CH60F |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART POWER MOD 20A SPM27-CA |
| 产品培训模块： | Smart Power |
| 产品变化通告： | Wire Bonding Change 06/April/2007 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | SPM™ |
| 类型： | IGBT |
| 配置： | 3 相 |
| 电流： | 20A |
| 电压： | 600V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 封装/外壳： | SPM27CA |
| 产品目录页面： | 1223 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | FEB154-ND - BOARD EVAL FOR FSBB20CH60 |
Electrical Characteristics (T J = 25°C, unless otherwise specified.)
Inverter Part
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V CE(SAT)
Collector - Emitter
V CC = V BS = 15 V
I C = 20 A, T J = 25°C
-
-
2.3
V
Saturation Voltage
V IN = 5 V
V F
FWDi Forward Voltage
V IN = 0 V
I C = 20 A, T J = 25°C
-
-
2.1
V
HS
t ON
t C(ON)
t OFF
Switching Times
V PN = 300 V, V CC = V BS = 15 V
I C = 20 A
V IN = 0 V ? 5 V, Inductive Load
(2nd Note 3)
-
-
-
0.48
0.30
0.93
-
-
-
? s
? s
? s
t C(OFF)
t rr
-
-
0.52
0.10
-
-
? s
? s
LS
t ON
t C(ON)
t OFF
t C(OFF)
t rr
V PN = 300 V, V CC = V BS = 15 V
I C = 20 A
V IN = 0 V ? 5 V, Inductive Load
(2nd Note 3)
-
-
-
-
-
0.63
0.30
1.01
0.51
0.10
-
-
-
-
-
? s
? s
? s
? s
? s
I CES
Collector - Emitter
V CE = V CES
-
-
250
? A
Leakage Current
2nd Notes:
3. t ON and t OFF include the propagation delay of the internal drive IC. t C(ON) and t C(OFF) are the switching time of IGBT itself under the given gate driving condition internally. For
the detailed information, please see Figure 4.
100% I C 100% I C
t rr
V IN
t ON
V CE
t C(ON)
I C
V IN
t OFF
I C
t C(OFF)
V CE
V IN(ON)
10% I C 90% I C 10% V CE
V IN(OFF)
10% V CE
10% I C
(a) turn-on
(b) turn-off
Figure 4. Switching Time Definition
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FSBB20CH60 Rev. C6
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| FSBB20CH60L | 功能描述:IGBT 模块 Smart Power Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB20CH60SL | 功能描述:IGBT 模块 600V/20A Smart Power RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| FSBB3 | 制造商:MMD 制造商全称:MMD Components 功能描述:HC-49/US Surface Mounted Crystal |
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