参数资料
| 型号： | FSDM311A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPS PWM/SENSFET 650V 8DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 输出隔离： | 隔离 |
| 频率范围： | 61 ~ 73kHz |
| 输入电压： | 7 V ~ 20 V |
| 输出电压： | 650V |
| 功率（瓦特）： | 13W |
| 工作温度： | 25°C ~ 150°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics
T A =25°C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
SENSEFET SECTION
I DSS
Zero-Gate-Voltage Drain Current
V DS =650V, V GS =0V
V DS =520V, V GS =0V, T C =125 ° C
25
200
mA
R DS(ON)
g fs
Drain-Source On-State Resistance
Forward Trans-Conductance
(8)
V GS =10V, I D =0.5A
V DS =50V, I D =0.5A
1.0
14
1.3
19
?
S
C ISS
Input Capacitance
162
C OSS
C RSS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain (Miller) Charge
V GS =0V, V DS =25V, f=1MHz
V DS =325V, I D =1.0A
V GS =10V, I D =1.0A, V DS =325V
18
3.8
9.5
19
33
42
7.0
3.1
0.4
pF
ns
nC
CONTROL SECTION
f OSC
Switching Frequency
61
67
73
KHz
Δ f OSC
D MAX
Switching Frequency Variation
Maximum Duty Cycle
(9)
-25°C ≤ T A ≤ 85°C
60
±5
67
±10
74
%
%
V START
V STOP
I FB
t S/S
UVLO Threshold Voltage
Feedback Source Current
Internal Soft-Start Time
V FB =GND
V FB =GND
0V ≤ V FB ≤ 3V
8
6
0.35
10
9
7
0.40
15
10
8
0.45
20
V
V
mA
ms
V REF
Reference Voltage
(10)
4.2
4.5
4.8
V
with Temperature
Δ V REF / Δ T
Reference Voltage Variation
(9, 10)
-25°C ≤ T A ≤ 85°C
0.3
0.6
mV/°C
BURST MODE SECTION
V BURH
V BURL
Burst Mode Voltage
T J =25°C
0.6
0.45
0.7
0.55
0.8
0.65
V
V
V BUR(HYS)
Hysteresis
150
mV
PROTECTION SECTION
I LIM
Peak Current Limit
di/dt=90mA/μs
0.500 0.575 0.650
A
T SD
Thermal Shutdown Temperature
(10)
125
145
°C
V SD
V OVP
Shutdown Feedback Voltage
Over-Voltage Protection
4.0
20
4.5
5.0
V
V
I DELAY
Shutdown Delay Current
3V ≤ V FB ≤ V SD
4
5
6
μA
TOTAL DEVICE SECTION
I OP
Operating Supply Current (control part only) V CC ≤ 16V
1.5
3.0
mA
I CH
Start-up Charging Current
V CC =0V, V STR =50V
450
550
650
μA
Notes:
8. Pulse test: Pulse width ≤ 300μs, duty ≤ 2%.
9. These parameters, although guaranteed, are tested in EDS (wafer test) process.
10. These parameters, although guaranteed, are not 100% tested in production.
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FSDM311A ? Rev.1.0.2
5
www.fairchildsemi.com
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