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参数资料
| 型号： | FSEZ1216NY |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWM PRIMARY REG MOSFET 8-DIP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 50 |
| 输出隔离： | 隔离 |
| 频率范围： | 39kHz ~ 45kHz |
| 输入电压： | 5.5 V ~ 25 V |
| 输出电压： | 600V |
| 功率（瓦特）： | 800mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 105°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1222 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Application Circuit (Primary-Side Regulated Flyback Charger)
Application
Cell Phone Charger
Fairchild Devices
FSEZ1216
Input Voltage Range
90~265V AC
Output
5V/0.78A (3.9W)
Features
High efficiency (>66% at full load) meeting Energy StarSM V2.0 and CEC regulation
Low standby power consumption (Pin=0.095W for 115V AC and Pin=0.138W for 230V AC )
Tight output regulation (CV: ± 5%, CC: ± 7%)
74
72
70
68
115V60Hz (68.7% avg)
230V50Hz (66.9% avg)
6
5
4
3
AC90V
AC120V
66
64
62
66.3% : Energy Star V2.0 (Nov. 2008)
62.2% : CEC (2008)
2
1
AC230V
AC264V
25
50
75
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
Load (%)
Output Current (mA)
Figure 31. Measured Efficiency and Output Regulation
1nF
C SN2
30 ?
R SN2
1mH
SB260
L P 15μH
I O
V O
R SN1
100k ?
1N4007
1N4007
1N4007
1N4007
1k ?
C DL2 C DL1
4.7μF 4.7μF
+
V DL
-
R START
2M ?
C SN1
1nF
R DAMP
270 ?
D SN
N1
N3
D R
C O
470μF
C P
220μF
R PL
1k ?
AC Line
4.7μH
FSEZ1216
1N4007
D DD
C DD
10μF
1N4007
N2
R CS
1.4 ?
100k ?
R COMR
1μF
C COMR
1
2
3
4
CS
COMR
COMI
COMV
DRAIN
SGND
VDD
VS
8
7
6
5
R S1
115k ?
R S2
24.9k ?
10nF
68nF C COMI
200k ? R COMI
C COMV
R COMV
43k ?
C S
47pF
Figure 32. Schematic of Typical Application Circuit
? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FSEZ1216 ? Rev. 1.0.1
13
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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