参数资料
型号: FSQ211
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/13页
文件大小: 0K
描述: IC FPS PWM/SENSFET 650V 8DIP
标准包装: 50
输出隔离: 隔离
频率范围: 61 ~ 73kHz
输入电压: 8 V ~ 20 V
输出电压: 650V
功率(瓦特): 1.4W
工作温度: 25°C ~ 145°C
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
产品目录页面: 1219 (CN2011-ZH PDF)
Electrical Characteristics
T A =25°C unless otherwise specified,
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
SENSEFET SECTION
V DS =650V, V GS =0V
25
I DSS
Zero-Gate-Voltage Drain Current
V DS =520V, V GS =0V,
T C =125 ° C
200
μA
R DS(ON)
Drain-Source On-State Resistance (6)
V GS =10V, I D =0.2A
18
25
?
g fs
C ISS
C OSS
C RSS
Forward Trans-Conductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS =50V, I D =0.2A
V GS =0V, V DS =25V,
f=1MHz
1.0
1.3
162
18
3.8
S
pF
CONTROL SECTION
Switching Frequency Variation
f OSC
Δ f OSC
D MAX
Switching Frequency
Maximum Duty Cycle
(7)
-25°C ≤ T A ≤ 85°C
61
60
67
±5
67
73
±10
74
KHz
%
%
V START
V STOP
I FB
t S/S
UVLO Threshold Voltage
Feedback Source Current
Internal Soft-Start Time
V FB =GND
V FB =GND
0V ≤ V FB ≤ 3V
8
6
0.35
10
9
7
0.40
15
10
8
0.45
20
V
V
mA
ms
BURST-MODE SECTION
V BURH
V BURL
Burst-Mode Voltage
T J =25°C
0.6
0.45
0.7
0.55
0.8
0.65
V
V
V BUR(HYS)
Hysteresis
150
mV
PROTECTION SECTION
I LIM
T SD
V SD
I DELAY
Peak Current Limit
Thermal Shutdown Temperature
Shutdown Feedback Voltage
Shutdown Delay Current
(8)
di/dt= 65mA/μs
3V ≤ V FB ≤ V SD
0.32
125
4.0
4
0.38
145
4.5
5
0.44
5.0
6
A
°C
V
μA
TOTAL DEVICE SECTION
I OP
Operating Supply Current (control part only)
V CC ≤ 16V
1.5
3.0
mA
I CH
Start-Up Charging Current
V CC =0V , V STR =50V
450
550
650
μA
Notes:
6. Pulse test: Pulse width ≤ 300us, duty ≤ 2%.
7. These parameters, although guaranteed, are tested in EDS (wafer test) process.
8. These parameters, although guaranteed, are not 100% tested in production.
? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FSQ211 Rev. 1.0.0
5
www.fairchildsemi.com
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