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参数资料
| 型号： | G2SB20 |
| 厂商： | Vaishali Semiconductor |
| 英文描述： | Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier |
| 中文描述： | 玻璃钝化单相桥式整流器 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | G2SB20 |
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Datasheets for electronics components.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| G2SBA20 | GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
| G2SBA60 | GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER |
| G3067 | GaAsP photodiode |
| G3297 | GaAsP photodiode |
| G3A | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| G2SB20-BP | 功能描述:桥式整流器 200V 1.5A RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| G2SB20-E3/45 | 功能描述:桥式整流器 1.5 Amp 200 Volt Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| G2SB20-E3/51 | 功能描述:桥式整流器 200 Volt 1.5 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube |
| G2SB40 | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 1.5A |
| G2SB460-E | 制造商:GULFSEMI 制造商全称:Gulf Semiconductor 功能描述:SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 800V Current:4.0A |
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