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参数资料
型号： GL100MN1MP1
厂商： Sharp Microelectronics
文件页数： 4/11页
文件大小： 0K
描述： IRED 940NM TOP MNT SMD
标准包装： 1
电流 - DC 正向(If)： 50mA
辐射强度(le)最小值@正向电流： 2.0mW/sr @ 20mA
波长： 940nm
正向电压： 1.2V
视角： 20°
方向： 顶视图
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 2-SMD，无引线
包装： 标准包装
其它名称： 425-2666-6
GL100MN1MPx
Fig. 3 Spectral Distribution
100
80
I F = 5 mA
T a = 25°C
Fig. 5 Forward Current vs. Forward Voltage
1,000
T a = 85°C
100
60
40
10
50°C
25°C
0°C
-30°C
1
20
0
0.1
860 880 900 920 940 960 980 1000 1020 1040
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
W a v elength λ (nm)
Fig. 4 Peak Emission Wavelength vs.
Ambient Temperature
For w ard v oltage V F (V)
Fig. 6 Relative Radiant Flux vs.
Ambient Temperature
980
I F = constant
10
I F = constant
970
960
950
940
930
1
920
-50 -30 -25
0
25
50
75 85 100
0.1
-50
-30 -25
0
25
50
75 85 100
Am b ient temperat u re T a (°C)
4
Am b ient temperat u re T a (°C)
Sheet No.: D1-A00701EN
相关PDF资料
PDF描述
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GL4800E0000F EMITTER IR 950NM 3.0MW TH
GL480E00000F EMITTER IR 950NM 3.0MW TH
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相关代理商/技术参数
参数描述
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